成本可降低10%,日本推碳化硅襯底新技術(shù)

時(shí)間:2024-07-01

來(lái)源:集邦化合物半導(dǎo)體

導(dǎo)語(yǔ):據(jù)介紹,中央硝子開(kāi)發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液(液相法)來(lái)制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(zhǎng)(升華法)的傳統(tǒng)技術(shù)相比,液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上,良率也會(huì)大幅度提升。

       據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道,日本中央硝子(Central Glass)開(kāi)發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅(SiC)”襯底的新制造技術(shù)。

  據(jù)介紹,中央硝子開(kāi)發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液(液相法)來(lái)制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(zhǎng)(升華法)的傳統(tǒng)技術(shù)相比,液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上,良率也會(huì)大幅度提升。

  由于利用液相法制備SiC襯底較為復(fù)雜,此前該技術(shù)一直未應(yīng)用在實(shí)際生產(chǎn)中。中央硝子運(yùn)用基于計(jì)算機(jī)的計(jì)算化學(xué),通過(guò)推算溶液的動(dòng)態(tài)等,成功量產(chǎn)出了6英寸SiC襯底。在此基礎(chǔ)上,公司打算最早于2030年把尺寸擴(kuò)大到8英寸。

  據(jù)了解,自2022年4月起,中央硝子就已經(jīng)開(kāi)始使用液相法研究和開(kāi)發(fā)SiC晶圓。

  今年4月,中央硝子宣布其“高質(zhì)量8英寸SiC單晶/晶片制造技術(shù)開(kāi)發(fā)”項(xiàng)目通過(guò)審查,被日本新能源和工業(yè)技術(shù)開(kāi)發(fā)組織(NEDO)的視為綠色創(chuàng)新基金項(xiàng)目(項(xiàng)目期限為2022財(cái)年至2029財(cái)年)。該項(xiàng)目后續(xù)將獲得來(lái)自NEDO的資助,這一進(jìn)展將有助于中央硝子加速8英寸SiC襯底的開(kāi)發(fā)。

  報(bào)道指出,為了讓客戶(hù)采用以新技術(shù)制作的SiC襯底,中央硝子已開(kāi)始與歐美的大型半導(dǎo)體企業(yè)等展開(kāi)商討。中央硝子最早將于2024年夏天開(kāi)始向客戶(hù)提供樣品,2027~2028年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該公司將在日本國(guó)內(nèi)的工廠實(shí)施數(shù)十億日元規(guī)模的投資,爭(zhēng)取將市場(chǎng)份額超過(guò)10%。

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